[发明专利]一种基于氮化钛纳米薄膜的三层结构的自选频红外吸收器在审
申请号: | 201710567675.8 | 申请日: | 2017-07-12 |
公开(公告)号: | CN107425089A | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 袁飞;周虎川;杨帆;高豪 | 申请(专利权)人: | 成都市亿泰科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;B82Y30/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 611731 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于氮化钛纳米薄膜的三层结构的自选频红外吸收器,属于红外探测领域。本发明包括氮化钛纳米薄膜、介电层和金属反射层。介电层在金属反射层上,氮化钛纳米薄膜在介电层上。为了实现高性能自选频的红外吸收,氮化钛纳米薄膜厚度为1nm,介电层厚度对应的光程为所吸收红外光波长的1/4。入射红外光被氮化钛纳米薄膜吸收50%的能量后透射入介电层,在介电层中被吸收波长的红外光干涉增强,经过多次全反射后氮化钛纳米薄膜吸收剩余的能量。本发明结构简单,制作成本低,无需额外的滤光器;兼容CMOS工艺,可直接制作到基于CMOS的红外传感器上;对特定波长的红外光实现几乎100%的高效吸收。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 氮化 纳米 薄膜 三层 结构 自选 红外 吸收 | ||
【主权项】:
一种基于氮化钛纳米薄膜的三层结构的自选频红外吸收器,其特征在于,包括氮化钛纳米薄膜、介电层和金属反射层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的