[发明专利]新型晶圆减薄背面金属化工艺有效
申请号: | 201710569223.3 | 申请日: | 2017-07-11 |
公开(公告)号: | CN107369611B | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 黄平;鲍利华 | 申请(专利权)人: | 上海朕芯微电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/78 |
代理公司: | 上海助之鑫知识产权代理有限公司 31328 | 代理人: | 余中燕 |
地址: | 201499 上海市奉*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种新型晶圆减薄背面金属化工艺,包括在晶圆正面进行涂胶,然后进行深槽刻蚀,以形成划片道;在划片道中添加塑封料,使塑封料填满划片道;塑封料固化后在其表面贴膜;通过减薄工艺对晶圆背面进行减薄处理;对背面晶圆及塑封料进行刻蚀;在晶圆背面进行金属化处理,使晶圆背面和塑封料表面涂覆金属;最后通过物理或化学方法将塑封料从晶圆中剥离。本发明通过首先在晶圆表面进行深槽刻蚀形成划片道的方法,解决了传统工艺中通过砂轮进行划片导致划片道宽度较宽,晶圆使用面积低的技术问题。该种方法不仅可以减小划片道的宽度,提高晶圆使用率,而且不会受管芯形状控制,适用范围广。 | ||
搜索关键词: | 新型 晶圆减薄 背面 金属化 工艺 | ||
【主权项】:
一种新型晶圆减薄背面金属化工艺,其特征在于,包括:步骤S1:首先在晶圆正面进行涂胶,然后在晶圆正面进行深槽刻蚀,以形成划片道;步骤S2:在划片道中添加塑封料,使塑封料填满划片道,并且塑封料在晶圆正面形成一定厚度;步骤S3:塑封料固化后在其表面贴膜;步骤S4:通过减薄工艺对晶圆背面进行减薄处理;步骤S5:对背面晶圆及塑封料进行刻蚀,且刻蚀处理过程中对晶圆的刻蚀速率高于对塑封料的刻蚀速率;步骤S6:在晶圆背面进行金属化处理,使晶圆背面和塑封料表面涂覆金属,且晶圆背面的金属层同塑封料上的金属层不相连;步骤S7:最后将塑封料从晶圆中剥离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海朕芯微电子科技有限公司,未经上海朕芯微电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710569223.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:集尘盒及具有其的除螨吸尘器
- 下一篇:一种使用方便的鼠标
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造