[发明专利]使用蚀刻剂膜的循环干法蚀刻方法在审
| 申请号： | 201710570101.6 | 申请日： | 2017-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN107622944A | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 财津优;小林伸好;小林明子;堀胜;近藤博基;堤隆嘉 | 申请（专利权）人： | ASMIP控股有限公司;国立大学法人名古屋大学 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 董庆,项丹 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及使用蚀刻剂膜的循环干法蚀刻方法。一种通过干法蚀刻处理对基板上的靶层进行蚀刻的方法，该方法包括至少一个蚀刻循环，其中，一个蚀刻循环包括使用反应性物质将含卤素的膜沉积在上述基板上的靶层上，使用非卤素的蚀刻气体的等离子体来蚀刻上述含卤素的膜，上述等离子体本身基本上不蚀刻上述靶层，而是在上述含卤素的膜和上述靶层的边界区域产生蚀刻剂物质，由此蚀刻上述边界区域内的上述靶层的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 蚀刻 循环 方法 | ||
【主权项】：
一种通过干法蚀刻处理对基板上的靶层进行蚀刻的方法，该方法包括至少一个蚀刻循环，其中，一个蚀刻循环包括：(i)使用反应性物质将含卤素的膜沉积在所述基板上的所述靶层上，其中，所述含卤素的膜和所述靶层彼此接触；以及(ii)使用非卤素蚀刻气体的等离子体来蚀刻所述含卤素的膜，所述等离子体本身基本上不蚀刻所述靶层，而是在所述含卤素的膜和所述靶层的边界区域产生蚀刻剂物质，由此蚀刻所述边界区域内的所述靶层的一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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