[发明专利]通过纳米电极阵列记录细胞内电信号的装置在审
| 申请号： | 201710570314.9 | 申请日： | 2017-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN107462511A | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 谢曦;杭天;陈惠琄;潘烁琳;柳成林;高健;杨成端;何根;吴江明 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | G01N15/10 | 分类号： | G01N15/10 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司44100 | 代理人： | 曹爱红 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于记录细胞内电信号的技术领域，具体公开一种通过纳米电极阵列记录细胞内电信号的装置，包括硅材料衬底和置于硅材料衬底上的纳米电极阵列，硅材料衬底上纳米电极阵列的位置使用光刻和反应离子蚀刻进行定义，硅材料衬底上非纳米电极阵列的位置通过绝缘性氧化硅进行覆盖，所述纳米电极阵列为若干竖立的纳米电极，所述纳米电极阵列与用于刺激/测量电子元件之间电连接。该装置能简单方便的在同一个时间内对多个细胞进行电信号记录，此外，其可以根据实际需要记录细胞外电信号和细胞内电信号，而且除了记录神经细胞的电信号之外，还可以用于记录心肌细胞或其他类型的细胞的电信号。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 纳米 电极 阵列 记录 细胞内 电信号 装置 | ||
【主权项】：
一种通过纳米电极阵列记录细胞内电信号的装置，其特征在于：包括硅材料衬底和置于硅材料衬底上的纳米电极阵列，硅材料衬底上纳米电极阵列的位置使用光刻和反应离子蚀刻进行定义，硅材料衬底上非纳米电极阵列的位置通过绝缘性氧化硅进行覆盖，所述纳米电极阵列为若干竖立的纳米电极，所述纳米电极阵列与用于刺激/测量电子元件之间电连接。
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