[发明专利]为多层多晶硅制作层间绝缘层的方法有效
| 申请号： | 201710570320.4 | 申请日： | 2017-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN107256826B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 向鹏飞;雷仁方;杨修伟;曲鹏程 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311;H01L21/768;H01L27/148 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 侯懋琪;侯春乐 |
| 地址： | 400060 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种为多层多晶硅制作层间绝缘层的方法，具体步骤为：1）在多晶硅表面形成多晶硅氧化层；2）在氮化硅衬底上侧面上淀积修复层，所述修复层将多晶硅氧化层和氮化硅衬底上侧面的裸露区域全部覆盖；3）进行初次刻蚀，对修复层进行刻蚀，刻蚀后，所述裸露区域表面仍保留有一定厚度的修复层；4）进行二次刻蚀，将所述裸露区域表面的修复层刻蚀掉，刻蚀后，多晶硅根部残留有修复层；所述多晶硅氧化层和残留在多晶硅根部的修复层即形成层间绝缘层；本发明的有益技术效果是：提出了一种为多层多晶硅制作层间绝缘层的方法，该方法能够对多晶硅氧化层的生长缺陷进行修复，从而得到质量符合要求的层间绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 多晶 制作 绝缘 方法 | ||
【主权项】：
1.一种为多层多晶硅制作层间绝缘层的方法，包括氮化硅衬底和层叠在氮化硅衬底上侧面上的多层多晶硅，在层叠方向上相邻的两层多晶硅之间设置有层间绝缘层；其特征在于：按如下方法制作层间绝缘层：1）采用热氧化工艺，在多晶硅表面形成多晶硅氧化层；2）采用化学气相沉积工艺，在氮化硅衬底上侧面上淀积修复层，所述修复层将多晶硅氧化层和氮化硅衬底上侧面的裸露区域全部覆盖；3）采用干法刻蚀工艺，对修复层进行刻蚀，刻蚀后，所述裸露区域表面仍保留有一定厚度的修复层；4）采用湿法刻蚀工艺，将所述裸露区域表面的修复层刻蚀掉，刻蚀后，多晶硅氧化层根部残留有修复层；所述多晶硅氧化层和残留在多晶硅氧化层根部的修复层即形成层间绝缘层；所述修复层的材质为未掺杂的硅酸盐玻璃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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