[发明专利]高压快恢复PIN二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201710571853.4 | 申请日： | 2017-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN107359117B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 杨东;林河北;郑方伟;李龙;杜永琴 | 申请（专利权）人： | 深圳市金誉半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/868 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 曹红梅;苏芳 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了本发明提供一种高压快恢复PIN二极管及其制备方法，该PIN二极管包括：N型衬底；N型外延层，形成于所述N型衬底表面；若干P型注入区，由所述N形外延层表面向内延伸；若干P+注入区，每一P+注入区形成于对应一P型注入区；P‑注入层，形成于所述N型外延层表面；两金属层，配置在N型衬底底部、P‑注入层表面，形成电极。本发明在现有PIN二级管的基础上进行改进，在常规结构的P型注入层下增加P/P+注入区域，两个P型之间的区域作为主要导电通道。和常规结构相比，提高器件击穿电压，减小漏电。在相同击穿电压的情况下，新结构的P型区域浓度比传统结构低，能够降低正向压降。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 恢复 pin 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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