[发明专利]一种硅‑多孔碳电极材料及其制备方法和应用在审
申请号: | 201710573128.0 | 申请日: | 2017-07-14 |
公开(公告)号: | CN107425184A | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 张耀;庄向阳;何凌潇 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 210096 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种硅‑多孔碳电极材料及其制备方法和应用。所述的硅‑多孔碳电极材料为纳米硅颗粒分散在多孔碳支架上,硅‑多孔碳电极材料具有孔径为4‑500nm的孔道结构,比表面积180‑400m2/g。所述制备方法,包括将纳米硅粉与纳米氧化镁粉末的混合物超声分散于蔗糖溶液中,干燥后加热使蔗糖碳化,然后用HCl溶液洗去纳米氧化镁,即得硅‑多孔碳电极材料。本发明还提供了所述的硅‑多孔碳电极材料在锂离子电池负极中的应用。本发明硅‑多孔碳电极材料,循环稳定性好、倍率性能高、可规模化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 多孔 电极 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种硅‑多孔碳电极材料,其特征在于所述的硅‑多孔碳电极材料为纳米硅颗粒分散在多孔碳支架上,硅‑多孔碳电极材料具有孔径为4‑500nm的孔道结构,比表面积180‑400m2/g。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学,未经东南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710573128.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。