[发明专利]聚合物修饰类囊体工作电极及其制备方法、三电极体系及其应用在审
| 申请号： | 201710573848.7 | 申请日： | 2017-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN107403696A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 王树;周鑫;吕凤婷;刘礼兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | H01G9/04 | 分类号： | H01G9/04;H01G9/042;C08G61/10 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司11283 | 代理人： | 严政,刘依云 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及光电转换领域，具体涉及聚合物修饰类囊体工作电极及其制备方法、三电极体系及其应用。本发明提供一种聚合物修饰类囊体工作电极，包括基底、由式(I)所示结构单元形成的聚合物，以及类囊体，其中，所述由式(I)所示结构单元形成的聚合物的数均分子量为8.0×103至2.0×104，本发明通过使用由式(1)所示的结构单元形成的聚合物修饰类囊体得到的工作电极不仅改善了类囊体与电极间的界面接触，而且提高了电子转移速率和光能利用率，达到了提高光电转换效率的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物 修饰 类囊体 工作 电极 及其 制备 方法 体系 应用 | ||
【主权项】：
一种聚合物修饰类囊体工作电极，包括基底、由式(I)所示结构单元形成的聚合物，以及类囊体，其中，所述由式(I)所示结构单元形成的聚合物的数均分子量为8.0×103至2.0×104，分布指数为1至2，
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