[发明专利]低功耗SRAM型FPGA在审
| 申请号： | 201710574578.1 | 申请日： | 2017-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN107508594A | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 曹敬;侯伶俐;李正杰;李显军 | 申请（专利权）人： | 成都华微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/177 | 分类号： | H03K19/177;G11C7/10;G11C8/16 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙)51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 低功耗SRAM型FPGA，涉及集成电路设计技术领域。本发明包括存储单元阵列、行控制线和列控制线，存储单元阵列中包括至少一个低功耗存储单元组，每个低功耗存储单元组由A、B两列存储单元构成，其中A列存储单元具有与A列中各存储单元连接的第一列线和第二列线，B列存储单元具有与B列中各存储单元连接的第三列线和第四列线，第一列线、第二列线、第三列线、第四列线为相互独立的4条列线；第一列线和第三列线之间设置有第一开关；第一列线和第四列线之间设置有第二开关；第二列线和第三列线之间设置有第三开关；第二列线和第四列线之间设置有第四开关。本发明可以有效的降低整个芯片的功耗水平。 | ||
| 搜索关键词： | 功耗 sram fpga | ||
【主权项】：
低功耗SRAM型FPGA，包括存储单元阵列、字控制线和位控制线，其特征在于，存储单元阵列中包括至少一个低功耗存储单元组，每个低功耗存储单元组由A、B两列存储单元构成，其中A列存储单元具有与A列中各存储单元连接的第一列线(A1)和第二列线(A2)，B列存储单元具有与B列中各存储单元连接的第三列线(B1)和第四列线(B2)，第一列线(A1)、第二列线(A2)、第三列线(B1)、第四列线(B2)为相互独立的4条列线；第一列线(A1)和第三列线(B1)之间设置有第一开关(S0)；第一列线(A1)和第四列线(B2)之间设置有第二开关(S1)；第二列线(A2)和第三列线(B1)之间设置有第三开关(S2)；第二列线(A2)和第四列线(B2)之间设置有第四开关(S3)。
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