[发明专利]流体工艺处理装置有效
| 申请号： | 201710574742.9 | 申请日： | 2017-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN107665836B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 冯傳彰;刘茂林;吴庭宇;许峯嘉;简育民 | 申请（专利权）人： | 辛耘企业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 王玉双;李岩 |
| 地址： | 中国台湾台北市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种流体工艺处理装置。流体工艺处理装置包括装置主体、参数取得模块以及高度调整模块。装置主体包括基板承载单元以及液体收集单元，其中基板承载单元用以承载基板，液体收集单元围绕设置于基板承载单元。参数取得模块电性连接装置主体，参数取得模块取得基板的基板参数。高度调整模块电性连接参数取得模块，以便根据基板参数调整基板承载单元与液体收集单元间的高度差。 | ||
| 搜索关键词： | 流体 工艺 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种流体工艺处理装置，应用于一基板的一处理工艺，其特征在于，该流体工艺处理装置包括：一装置主体，包括一基板承载单元以及一液体收集单元，其中该基板承载单元用以承载该基板，该液体收集单元围绕设置于该基板承载单元；一参数取得模块，电性连接该装置主体，该参数取得模块取得该基板的一基板参数；以及一高度调整模块，电性连接该参数取得模块，该高度调整模块包括一驱动装置以及一控制模块，其中该控制模块电性连接该驱动装置，该控制模块根据该基板参数驱动该驱动装置调整该基板承载单元与该液体收集单元间的高度差。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
