[发明专利]静电放电保护装置有效
| 申请号： | 201710574859.7 | 申请日： | 2017-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN108807363B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 陈信良;洪慈忆;吴明欣 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种静电放电保护装置包括：半导体基板；N型掺杂阱，位于所述基板上，所述N型掺杂阱包括第一N+区及第一P+区；P型掺杂阱，位于所述基板上，所述P型掺杂阱包括第二N+区、第三N+区、及位于所述第二N+区与所述第三N+区之间的第二P+区；以及第一接触窗，位于所述第一N+区与所述第一P+区之间的所述N型掺杂阱的表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护装置 | ||
【主权项】：
1.静电放电保护装置，包括：半导体基板；一第一与一第二N型掺杂阱，位于所述基板上，所述第一N型掺杂阱与所述第二N型掺杂阱各包括第一N+区及第一P+区；一P型掺杂阱，位于所述基板上，介于所述第一N型掺杂阱与所述第二N型掺杂阱之间，所述P型掺杂阱包括第二N+区、第三N+区、及位于所述第二N+区与所述第三N+区之间的第二P+区；以及一第一与一第二接触窗，其中所述第一接触窗与第二接触窗分别位于所述第一N+区与所述第一P+区之间的所述第一与第二N型掺杂阱的表面上；一多晶硅电阻，位于所述第一接触窗与第二接触窗之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
