[发明专利]一种导电栓塞的制备方法及具有导电栓塞的半导体器件

摘要

本发明公开了一种导电栓塞的制备方法，包括：提供一开设有孔洞的衬底，孔洞的第一开口端暴露于衬底表面；形成第一导电沉积膜在衬底表面上，第一导电沉积膜包括具有空隙的第一栓塞部，局部填充在孔洞中，空隙为细长状以使空隙的端部超出孔洞的第一开口端；扩大空隙的端部，以使空隙的端部扩大形成为暴露于第一导电沉积膜的第二开口端，第二开口端的孔径为第一开口端的孔径30％～70％，包括端点值；形成第二导电沉积膜在第一导电沉积膜上，第二导电沉积膜包括第二栓塞部，填充在具有第二开口端的空隙中；及去除在衬底表面上的第一导电沉积膜与第二导电沉积膜，以形成电性隔离的导电栓塞。此方法缩小空隙体积，或消除空隙，得到电阻低、可靠性高的导电栓塞。

主权项

1.一种导电栓塞的制备方法，其特征在于，包括：提供一开设有孔洞的衬底，所述孔洞的第一开口端暴露于所述衬底表面；形成第一导电沉积膜在所述衬底表面上，所述第一导电沉积膜包括具有空隙的第一栓塞部，局部填充在所述孔洞中，所述空隙为细长状以使所述空隙的端部超出所述孔洞的第一开口端；扩大所述空隙的所述端部，以使所述空隙的所述端部扩大形成为暴露于所述第一导电沉积膜的第二开口端，所述第二开口端的孔径为所述第一开口端的孔径30％～70％，包括端点值；形成第二导电沉积膜在所述第一导电沉积膜上，所述第二导电沉积膜包括第二栓塞部，填充在所述具有第二开口端的空隙中；及去除在所述衬底表面上的所述第一导电沉积膜与所述第二导电沉积膜，以形成电性隔离的导电栓塞。