[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置在审

专利信息
申请号: 201710575147.7 申请日: 2017-07-14
公开(公告)号: CN109256418A 公开(公告)日: 2019-01-22
发明(设计)人: 王骏;黄中浩;赵永亮;林承武 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L29/417 分类号: H01L29/417;H01L29/786;H01L21/34;H01L21/28
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 汪源;陈源
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置,包括:有源层图形、源极和漏极,源极和漏极覆盖有源层图形的部分区域,有源层图形上未被源极和漏极所覆盖的部分为可导电图形,可导电图形包括:连接源极和漏极的主体部和位于主体部两侧的若干个凸起部,凸起部与主体部连接。本发明的技术方案通过在连接源极和漏极的主体部的两侧分别设置若干个凸起部,可使得可导电图形中连接源极和漏极的边缘可导电区域的长度增长,从而使得边缘可导电区域的阈值电压增大,边缘可导电区域能够后于主可导电区域导通,进而可有效解决因边缘可导电区域先于主可导电区域导通后产生漏电流的问题,有效提升薄膜晶体管的工作稳定性。
搜索关键词: 导电区域 漏极 主体部 薄膜晶体管 导电图形 连接源 凸起部 源层 源极 显示装置 阵列基板 导通 制备 工作稳定性 有效解决 阈值电压 漏电流 覆盖
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:有源层图形、源极和漏极,所述源极覆盖所述有源层图形的部分区域,所述漏极覆盖所述有源层图形的部分区域,所述有源层图形上未被所述源极和所述漏极所覆盖的部分为可导电图形,所述可导电图形包括:连接所述源极和漏极的主体部和位于所述主体部两侧的若干个凸起部,所述凸起部与所述主体部连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710575147.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top