[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201710578536.5 | 申请日： | 2012-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN107302018B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 本田达也;小俣贵嗣;野中裕介 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/06;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。一个目标是通过使用具有稳定电气特性的氧化物半导体膜来提供具有稳定电气特性的高度可靠的半导体装置。另一个目标是通过使用具有高结晶性的氧化物半导体膜来提供具有较高迁移率的半导体装置。结晶氧化物半导体膜是在其表面粗糙度减小了的绝缘膜之上形成并与之接触，由此氧化物半导体膜可以具有稳定的电气特性。相应地，可以提供具有稳定的电气特性的高度可靠的半导体装置。另外，可以提供具有较高迁移率的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，包括以下步骤：在衬底之上形成第一电极；在所述衬底之上形成绝缘层；通过化学机械抛光平坦化所述绝缘层并且暴露所述第一电极的顶表面；在所述绝缘层之上形成氧化物半导体膜；以及在所述第一电极和所述氧化物半导体膜之上形成第二电极，其中所述第二电极电连接到所述第一电极和所述氧化物半导体膜，其中所述绝缘层包括具有小于0.5nm的平均表面粗糙度的表面，以及其中所述氧化物半导体膜包括晶体，所述晶体的c轴基本上垂直于所述绝缘层的所述表面。
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