[发明专利]半导体装置的制作方法有效
| 申请号： | 201710579227.X | 申请日： | 2017-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN109273360B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 陈冠宏;李荣原;陆俊岑;杨崇立 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/8234;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置的制作方法，其包括下列步骤：提供半导体基板，其上设置有鳍状结构；在鳍状结构内形成凹槽，致使半导体基板部分暴露出于凹槽的底面；在凹槽的侧面以及底面顺向性地形成掺质来源层；移除位于凹槽底面的掺质来源层，致使半导体基板部分暴露出该凹槽底面；以及对掺质来源层施行热处理制作工艺，以于鳍状结构内形成侧面掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制作方法，包括：提供一半导体基板，该半导体基板上设置有至少一鳍状结构；在该鳍状结构内形成至少一凹槽，致使该半导体基板部分暴露出于该凹槽的底面；在该凹槽的侧面以及底面顺向性地形成一掺质来源层；移除位于该凹槽底面的该掺质来源层，致使该半导体基板部分暴露出于该凹槽底面；以及对该掺质来源层施行热处理制作工艺，以于该鳍状结构内形成一侧面掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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