[发明专利]制备BiGaO3薄膜材料的反应装置

摘要

一种制备BiGaO3薄膜材料的反应装置，包括有铋前驱体源、铋前驱体管路手动阀、铋前驱体管路自动阀、铋前驱体载气管路质量流量控制器、镓前驱体源、镓前驱体管路手动阀、镓前驱体管路自动阀、镓前驱体载气管路质量流量控制器、氧前驱体源、氧前驱体管路手动阀、氧前驱体管路自动阀、氧前驱体载气管路质量流量控制器、惰性气体源、惰性气体管路手动阀、真空反应腔、真空泵、真空泵进气口自动阀门、设备控制器，真空反应腔中设有电加热器和温度传感器，铋前驱体源1、镓前驱体源2、氧前驱体源3的容器均设有电加热器和半导体制冷器。该装置可实现薄膜生长时厚度的精确可控。

主权项

一种制备BiGaO3薄膜材料的反应装置，其特征在于：反应装置包括有铋前驱体源容器1、铋前驱体管路手动阀K1、铋前驱体管路自动阀AK1、铋前驱体载气管路质量流量控制器MFC1、镓前驱体源容器2、镓前驱体管路手动阀K2、镓前驱体管路自动阀AK2、镓前驱体载气管路质量流量控制器MFC2、氧前驱体源容器3、氧前驱体管路手动阀K3、氧前驱体管路自动阀AK3、氧前驱体载气管路质量流量控制器MFC3、惰性气体源容器4、惰性气体管路手动阀K4、真空反应腔、真空泵、真空泵进气口自动阀门AK4、设备控制器，真空反应腔中设有电加热器和温度传感器，设备控制器可以是PLC、单片机系统、计算机或专门设计的电路系统；铋前驱体源1、镓前驱体源2、氧前驱体源3的容器均设有电加热器和半导体制冷器；由设备控制器控制铋前驱体源1、镓前驱体源2、氧前驱体源3的容器的电加热器和半导体制冷器的工作状态，以使铋前驱体源1、镓前驱体源2、氧前驱体源3的温度恒定在设定的温度值；铋前驱体源容器1的出口通过气体管路依次连接到铋前驱体管路手动阀K1、铋前驱体管路自动阀AK1、真空反应腔，镓前驱体源2的出口通过气体管路依次连接到镓前驱体管路手动阀K2、镓前驱体管路自动阀AK2、真空反应腔，氧前驱体源容器3的出口通过气体管路依次连接到氧前驱体管路手动阀K3、氧前驱体管路自动阀AK3、真空反应腔，惰性气体源4的出口通过气体管路连接到惰性气体管路手动阀K4，再通过分支管路分别连接到铋前驱体载气管路质量流量控制器MFC1、镓前驱体载气管路质量流量控制器MFC2、氧前驱体载气管路质量流量控制器MFC3，铋前驱体载气管路质量流量控制器MFC1的出口通过三通连接件连接在铋前驱体管路自动阀AK1与真空反应腔之间的气体管路上，镓前驱体载气管路质量流量控制器MFC2的出口通过三通连接件连接在镓前驱体管路自动阀AK2与真空反应腔之间的气体管路上，氧前驱体载气管路质量流量控制器MFC3的出口通过三通连接件连接在铋前驱体管路自动阀AK3与真空反应腔之间的气体管路上，真空反应腔的出口通过管路依次连接到真空泵进气口自动阀门AK4、真空泵的进气口；铋前驱体源容器1、铋前驱体管路自动阀AK1、铋前驱体载气管路质量流量控制器MFC1、镓前驱体源容器2、镓前驱体管路自动阀AK2、镓前驱体载气管路质量流量控制器MFC2、氧前驱体源容器3、氧前驱体管路自动阀AK3、氧前驱体载气管路质量流量控制器MFC3、真空反应腔、真空泵、真空泵进气口自动阀门AK4、真空反应腔中的电加热器、温度传感器、所述容器的电加热器和半导体制冷器均通过电缆连接到设备控制器均通过电缆连接到设备控制器，由设备控制器集中控制各自的工作状态；温度传感器的采集数据通过电缆传输给设备控制器。