[发明专利]一种垂直沟道结构双电层薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201710581052.6 | 申请日： | 2017-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN107611180A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 刘玉荣 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51;H01L21/34 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直沟道结构的双电层薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管自下而上依次包括衬底、栅电极层、电解质栅介质层、源电极层、半导体沟道层、漏电极，源电极层设置于电解质栅介质层的上方；半导体沟道层设置于源电极层的上方；漏电极设置于半导体沟道层的上方；源电极层为超薄多孔结构导电膜；电解质栅介质层采用具有双电层效应的电解质材料。本发明的薄膜晶体管通过采用垂直沟道结构，有效缩减沟道长度，从而提高漏极电流，降低工作电压。本发明可以有效增强薄膜晶体管的驱动能力、降低功耗，且具有工艺简单、成本低廉、易于集成等优势，有利于在柔性化、便携式、移动式、可穿戴式等低功耗电子系统及TFT集成传感器领域得到应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 沟道 结构 双电层 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直沟道结构的双电层薄膜晶体管，其特征在于：自下而上依次包括衬底（1）、栅电极层（2）、电解质栅介质层（3）、源电极层（4）、半导体沟道层（5）、漏电极（6），所述栅电极层（2）设置于所述衬底（1）之上；所述电解质栅介质层（3）设置于栅电极层的之上；所述源电极层（4）设置于电解质栅介质层之上；所述半导体沟道层（5）设置于源电极层的上方；所述漏电极（6）设置于半导体沟道层之上。
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