[发明专利]一种采用钨电极制造高可靠瞬态电压抑制二极管的制造方法

摘要

本发明提供的一种采用钨电极制造高可靠瞬态电压抑制二极管的制造方法，包括管芯的制备、电极焊接、处理封装，采用了钨电极作为电极引线制造玻璃钝化瞬态电压抑制二极管，大大提升了器件的瞬态峰值功率，相同封装外形尺寸可以提升80％以上的瞬态峰值功率。

主权项

一种采用钨电极制造高可靠瞬态电压抑制二极管的制造方法，包括管芯的制备、电极焊接、处理封装，其具体工艺方法为：a、管芯制备：a‑1、通过深度扩散的在单晶硅片上形成PN结，通过电子束蒸发在PN结的P面和N面制备金属薄膜层；a‑2、通过吹砂切割将镀有金属薄膜层的单晶硅片吹砂成型，形成正斜角的梯形台面造型；a‑3、采用清洗剂对切割好的管芯进行腐蚀清洗14～16min，腐蚀完成后的管芯用丙酮进行超声波清洗8～12min，再用酒精进行超声波清洗8～12min，然后脱水、烘干；b、电极焊接：通过高温真空烧结将电极与金属引线烧焊成一个整体的电极引线，再电极引线、管芯、电极引线依次竖直叠放到石墨模具中，再将石墨模具放入真空烧结炉中将电极引线和管芯进行600～800℃的高温熔焊键合。c、处理封装：c‑1、使用酸腐蚀液对烧焊后的二极管进行酸腐蚀清洗5～20min；c‑2、将酸腐蚀后的二极管放入碱腐蚀液中腐蚀清洗3～5min；c‑3、使用冷、热去离子水交替冲洗；c‑4、放入温度为55～60℃的钝化液中钝化1～3min；c‑5、使用玻璃粉浆在二极管表面均匀涂覆形成均匀的球体，然后低温成型2～3h。