[发明专利]薄膜晶体管及制作方法、显示装置有效
申请号: | 201710581306.4 | 申请日: | 2017-07-17 |
公开(公告)号: | CN107369716B | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 周天民;杨维;王利忠;朱夏明;宋吉鹏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/417 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 刘延喜;王增鑫 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种薄膜晶体管及制作方法、显示装置,所述薄膜晶体管包括栅极、栅介质层、有源层、源漏电极和钝化层;所述源漏电极和钝化层之间设有隔离层,所述隔离层覆盖源漏电极以及源漏电极之间的沟道区。本发明通过在源漏电极以及源漏电极之间的沟道区蒸镀隔离层,使所述源漏电极在后续工艺中不易氧化,尤其是改善了铜在后续高温钝化工艺中的氧化问题。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管,包括栅极、栅介质层、有源层、源漏电极和钝化层;其特征在于:所述源漏电极和钝化层之间设有隔离层,所述隔离层覆盖源漏电极以及源漏电极之间的沟道区。
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