[发明专利]一种水冷绝缘栅双极型晶体管IGBT模块在审
| 申请号： | 201710581639.7 | 申请日： | 2017-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN107275291A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 言锦春 | 申请（专利权）人： | 上海道之科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/473;H01L23/49;H01L23/00;H01L25/00;H01L25/18 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司33101 | 代理人： | 翁霁明 |
| 地址： | 201800 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种水冷绝缘栅双极型晶体管IGBT模块，包括绝缘栅双极型晶体管以及二极管的芯片部分、绝缘基板DBC、功率端子、信号端子、铝线、塑料外壳、硅凝胶、热敏电阻、水冷铝基板、导向柱、滚花螺母；所述的绝缘栅双极型晶体管以及二极管的芯片部分和功率端子通过超声波焊接，并通过软铅焊将所述绝缘栅双极型晶体管以及二极管的芯片部分和功率端子焊接在绝缘基板DBC的导电铜层上；所述绝缘栅双极型晶体管以及二极管的芯片部分的各芯片之间、绝缘栅双极型晶体管以及二极管的芯片部分的各芯片与绝缘基板DBC2相应的导电层之间均通过铝线键合进行电气连接；塑料外壳和水冷铝基板通过密封胶粘接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 水冷 绝缘 栅双极型 晶体管 igbt 模块 | ||
【主权项】：
一种水冷绝缘栅双极型晶体管IGBT模块，包括绝缘栅双极型晶体管以及二极管的芯片部分（3）、绝缘基板DBC（2）、功率端子（5）、信号端子（7）、铝线（6）、塑料外壳（8）、硅凝胶（4）、热敏电阻（9）、水冷铝基板（1）、导向柱（10）、滚花螺母（11）；其特征在于所述的绝缘栅双极型晶体管以及二极管的芯片部分（3）和功率端子（5）通过超声波焊接，并通过软铅焊将所述绝缘栅双极型晶体管以及二极管的芯片部分（3）和功率端子（5）焊接在绝缘基板DBC（2）的导电铜层上；所述绝缘栅双极型晶体管以及二极管的芯片部分（3）的各芯片之间、绝缘栅双极型晶体管以及二极管的芯片部分（3）的各芯片与绝缘基板DBC（2）相应的导电层之间均通过铝线（6）键合进行电气连接；塑料外壳（8）和水冷铝基板（1）通过密封胶粘接；所述绝缘栅双极型晶体管以及二极管的芯片部分（3）、绝缘基板DBC（2）、功率端子（5）、信号端子（7）、铝线（8）以及热敏电阻（9）上面均覆盖有用于提高各原件之间耐压的绝缘硅凝胶（4）。
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