[发明专利]一种图像传感器3D栅极硅通孔刻蚀的方法在审
| 申请号： | 201710581729.6 | 申请日： | 2017-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN107331636A | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 唐在峰;许进;任昱 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L27/146;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种图像传感器3D栅极硅通孔刻蚀的方法，包括下列步骤对晶圆刻蚀时，利用终点监控系统，检测大块刻蚀区域硬掩膜的刻蚀终点，并实施刻蚀终点控制；对刻蚀晶圆通孔区域的硬掩膜进行断面形貌刻蚀量检测；进行晶圆通孔区域硬掩膜的总刻蚀量计算，并增加通孔区域的刻蚀量；重新进行晶圆硬掩膜和硅通孔的刻蚀，完成菜单开发。本发明提出的图像传感器3D栅极硅通孔刻蚀的方法，精确控制硅通孔的深度及形貌，达到保障器件特性，提高开发效率及保障后续量产稳定性的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图像传感器 栅极 硅通孔 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种图像传感器3D栅极硅通孔刻蚀的方法，其特征在于，包括下列步骤：对晶圆刻蚀时，利用终点监控系统，检测大块刻蚀区域硬掩膜的刻蚀终点，并实施刻蚀终点控制；对刻蚀晶圆通孔区域的硬掩膜进行断面形貌刻蚀量检测；进行晶圆通孔区域硬掩膜的总刻蚀量计算，并增加通孔区域的刻蚀量；重新进行晶圆硬掩膜和硅通孔的刻蚀，完成菜单开发。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
