[发明专利]一种高可靠玻璃钝化微型表贴二极管的制造方法在审
申请号: | 201710581797.2 | 申请日: | 2017-07-17 |
公开(公告)号: | CN107393821A | 公开(公告)日: | 2017-11-24 |
发明(设计)人: | 古进;杨波;蔡美晨;龚昌明;张翼 | 申请(专利权)人: | 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) |
主分类号: | H01L21/329 | 分类号: | H01L21/329;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/56 |
代理公司: | 贵阳派腾阳光知识产权代理事务所(普通合伙)52110 | 代理人: | 谷庆红 |
地址: | 550018 贵州省*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | 本发明提供的一种高可靠玻璃钝化微型表贴二极管的制造方法,包括管芯的制备、电极焊接、处理封装,芯片分离采用正吹砂切割方式形成正斜角,大大降低了器件的表面电场,提高了芯片表面的稳定性;在芯片腐蚀过程中采用酸腐蚀去除芯片台面损伤层、腐蚀工艺去除粘附在芯片表面的重金属离子、热钝化方式中和碱金属离子并在芯片表面生长一层二氧化硅钝化保护层的工艺,最大限度的清洁了芯片表面,减少了界面电荷的影响,使器件具有良好的反向性能,提升产品的可靠性;采用主要成分为氧化锌、三氧化二硼、二氧化硅的钝化玻璃粉经过高温成型实现玻璃粉对芯片台面的钝化兼封装作用,产品组件中的电极与芯片和玻璃钝化层的热膨胀系数相当,提高了产品的抗温度冲击能力;产品采用专用焊料将电极片和轴向产品进行烧结,实现了表贴封装结构。 | ||
搜索关键词: | 一种 可靠 玻璃 钝化 微型 二极管 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种高可靠玻璃钝化微型表贴二极管的制造方法,包括管芯的制备、电极焊接、处理封装,其具体工艺方法为:a、管芯制备:a‑1、通过深度扩散的在单晶硅片上形成PN结,通过电子束蒸发在PN结的P面和N面制备金属薄膜层;a‑2、通过吹砂切割将镀有金属薄膜层的单晶硅片吹砂成型;a‑3、采用清洗剂对切割好的管芯进行腐蚀清洗,腐蚀完成后的管芯用丙酮进行超声波清洗,再用酒精进行超声波清洗,然后脱水、烘干;b、电极焊接:通过高温真空烧结将电极与金属引线烧焊成一个整体的电极引线,再电极引线、管芯、电极引线依次竖直叠放到石墨模具中,再将石墨模具放入真空烧结炉中将电极引线和管芯进行600℃~800℃的高温熔焊键合。c、处理封装:c‑1、使用酸腐蚀液对烧焊后的二极管进行酸腐蚀30~120s;c‑2、将酸腐蚀后的二极管放入碱腐蚀液中腐蚀清洗60~180s;c‑3、使用冷、热去离子水交替冲洗10次;c‑4、使用玻璃粉浆在二极管表面均匀涂覆形成均匀的球体,然后低温成型2~3h;c‑5、在引线上装上焊料和电极片后使用300~400℃温度烧结;c‑6、多余引线切除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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