[发明专利]一种具有瞬态电压抑制和整流功能的玻璃钝化续流二极管的制造方法在审
申请号: | 201710581798.7 | 申请日: | 2017-07-17 |
公开(公告)号: | CN107393822A | 公开(公告)日: | 2017-11-24 |
发明(设计)人: | 古进;龚昌明;简青青;吴王进;从书 | 申请(专利权)人: | 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) |
主分类号: | H01L21/329 | 分类号: | H01L21/329;H01L25/00;H01L25/07 |
代理公司: | 贵阳派腾阳光知识产权代理事务所(普通合伙)52110 | 代理人: | 谷庆红 |
地址: | 550018 贵州省*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有瞬态电压抑制和整流功能的玻璃钝化续流二极管的制造方法,步骤包括芯片制作、芯片焊接、表面钝化、封装成型,本发明的器件一端具有瞬态电压抑制功能,另一端具有整流二极管的高压保护功能,可以提升线圈反向电动势的吸收速率,大大简化了在线圈保护电路中的安装方式,在瞬态电压抑制二极管的芯片制造过程中,采用双面扩散工艺使芯片具有两个击穿电压相同的PN结,在后续的装模烧焊过程中不需要对芯片进行分极性处理,大大提升了器件的生产效率。芯片分离采用吹砂切割或激光切割,两种芯片裂片工艺均能使芯片台面具有较小的损伤层,提升了芯片台面在腐蚀清洗后的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 瞬态 电压 抑制 整流 功能 玻璃 钝化 二极管 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种具有瞬态电压抑制和整流功能的玻璃钝化续流二极管的制造方法,其特征在于:包括以下步骤,a)、芯片制作,分别制作瞬态电压抑制二级管管芯和整流二级管管芯,制作完成后将管芯切割成需要的尺寸,然后对管芯表面进行处理;b)、芯片焊接,通过高温烧结将电极和引线烧焊成一个整体的电机引线,然后将电极引线和二极管管芯在600~800℃的高温下熔焊键和;c)、表面钝化,将熔焊键和后的管芯通过钝化处理;d)、封装成型,在钝化后的管芯表面上均匀涂覆玻璃粉浆,然后低温成型2~6h。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造