[发明专利]一种类单晶和高效多晶的混合硅锭的制备方法在审
| 申请号： | 201710583583.9 | 申请日： | 2017-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN108396376A | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 陶亚明;李书森;黄兴;郭樱花;唐前 | 申请（专利权）人： | 陕西西京电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710000 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于太阳能光伏技术领域，尤其涉及一种类单晶和高效多晶的混合硅锭的制备方法。该制备方法采用类单晶工艺和高校多晶工艺混合使用，使类单晶少晶界，高效多晶少位错、少界面能的特点进行有效融合，最大效率的减少晶界和位错的影响，提高整锭的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶 多晶 制备 混合硅 晶界 位错 光电转换效率 太阳能光伏 工艺混合 有效融合 最大效率 界面能 | ||
【主权项】：
1.一种类单晶和高效多晶的混合硅锭的制备方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1，提供坩埚，在其底部采用籽晶铺底；步骤2，向坩埚内籽晶上方放入原生硅料；步骤3，对坩埚进行加热，控制坩埚底部温度，使坩埚内部的原生硅料全部熔化，底部铺底采用的籽晶不熔化；步骤4，控制坩埚内部纵向温度梯度，使融化的原生硅料从底部开始长晶，并纵向生长；步骤5，长晶完成后，进行退火和冷却，得到类单晶和高效多晶的混合硅锭。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西西京电子科技有限公司，未经陕西西京电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710583583.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
