[发明专利]SiC欧姆接触结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201710583808.0 | 申请日： | 2017-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN107546112B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 张艺蒙;李彦良;张玉明;宋庆文;汤晓燕 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/45 |
| 代理公司： | 61230 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SiC欧姆接触结构及其制作方法，包括：制作SiC衬底；在所述衬底表面依次淀积第一Ni层、Ti层、第二Ni层、TaSi | ||
| 搜索关键词： | sic 欧姆 接触 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiC欧姆接触结构的制作方法，其特征在于，包括：/n(a)制作SiC衬底；包括：/n(a1)选取4H-SiC衬底并对所述4H-SiC衬底进行标准RCA清洗；/n(a2)利用PECVD工艺，在所述4H-SiC衬底表面淀积厚度为100nm的氧化层；/n(a3)刻蚀所述氧化层形成离子注入窗口，利用离子注入工艺，对所述4H-SiC衬底表面进行N+、P+离子注入形成N型掺杂区和P型掺杂区；/n(a4)刻蚀掉剩余的氧化层，并进行第二退火处理；/n(b)利用掩膜版对所示衬底表面进行光刻，形成CTLM图形；在所述衬底表面依次淀积第一Ni层、Ti层、第二Ni层、TaSi
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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