[发明专利]基于半模基片集成波导及CSR结构的双模可重构滤波器有效

专利信息
申请号: 201710584045.1 申请日: 2017-07-18
公开(公告)号: CN107591595B 公开(公告)日: 2019-10-01
发明(设计)人: 徐自强;谭力;孙洋涛;吴孟强;廖家轩;夏红;李元勋 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01P1/20 分类号: H01P1/20;H01P1/203
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 甘茂
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于微波毫米波技术领域,提供基于半模基片集成波导及CSR结构的双模可重构滤波器,主要解决了普通可调滤波器插入损耗大以及在PIN二极管的偏置电压无法直接添加到基片集成波导等问题,本发明是采用半模基片集成波导技术,而上层金属图形层包括半模基片集成波导覆铜层、直流偏置电路及“山”字形微带线等结构,覆铜层两边有两个互补圆形螺旋谐振环(CSR),通过施加正向/反向偏压,PIN管导通或截止,使得上层金属铜与“山”字型微带线导通或断开,最终实现单双通带切换。该特征下的可重构滤波器具有体积小,插入损耗低,具有多个传输零点,带外抑制高,加载直流馈电方便、调谐速度快、调谐方便等特点,特别适用于无线通信系统。
搜索关键词: 基于 半模基片 集成 波导 csr 结构 双模 可重构 滤波器
【主权项】:
1.基于半模基片集成波导及CSR结构的双模可重构滤波器,由从下往上依次层叠的下层金属地(32)、中间介质层(1)及上层金属图形层构成;其特征在于,其中,上层金属图形层包括半模基片集成波导覆铜层(31)、直流偏置电路及“山”字形微带线(7);所述半模基片集成波导覆铜层(31)通过其上边缘位置设置的一排贯穿中间介质层的金属化通孔(41)、与下层金属地共同构成半模基片集成波导,半模基片集成波导覆铜层(31)左右两边通过梯形微带转换结构(51、52)分别连接输入微带线(161)、输出微带线(162),半模基片集成波导覆铜层下边中心位置引出第一金属焊盘(81);所述半模基片集成波导覆铜层(31)上还左右对称开设有两个互补圆形螺旋谐振环(CSR)(61、62);所述直流偏置电路包括接地金属片(15),直流电源(17),以及依次连接的第二金属焊盘(86)、接地电容(14)、第三金属焊盘(85)、限流电阻(13)、第四金属焊盘(83)、扼流电感(12)、第五金属焊盘(82);直流电源(17)跨接于第三金属焊盘(85)与接地金属片(15)之间,接地金属片(15)连接第二金属焊盘(86);第一金属焊盘(81)与第五金属焊盘(82)之间跨接有隔直电容(9);所述“山”字形微带线(7)的中间微带线与第五金属焊盘(82)之间跨接PIN二极管(11),PIN二极管的阳极连接第五金属焊盘(82)上。
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