[发明专利]用于在晶片上对层进行蚀刻的装置和方法

摘要

本发明涉及用于蚀刻的快速气体切换，具体而言，本发明提供了一种用于在具有内部喷射区气体进给装置和外部喷射区气体进给装置的等离子体腔室中对层进行蚀刻的方法。将所述层放置于所述等离子体腔室中。从所述内部喷射区气体进给装置以第一频率提供脉冲蚀刻气体，其中来自所述内部喷射区气体进给装置的脉冲蚀刻气体的流量直线下降至零。从所述外部喷射区气体进给装置以所述第一频率并且在与来自所述内部喷射区气体进给装置的所述脉冲蚀刻气体同时且异相地提供所述脉冲蚀刻气体。在从所述内部喷射区气体进给装置提供所述脉冲蚀刻气体以及从所述外部喷射区气体进给装置提供所述脉冲气体同时，使所述蚀刻气体形成等离子体以对所述层进行蚀刻。

主权项

一种用于对晶片上的蚀刻层进行蚀刻的装置，所述装置包括：等离子体处理腔室，所述等离子体处理腔室包括：腔室壁，所述腔室壁形成等离子体处理腔室外壳；衬底支撑件，所述衬底支撑件用于在所述等离子体处理腔室外壳内支撑晶片；压力调节器，所述压力调节器用于调节所述等离子体处理腔室外壳中的压力；至少一个电极，所述至少一个电极用于向所述等离子体处理腔室外壳提供功率以维持等离子体；内部喷射区气体进给装置，所述内部喷射区气体进给装置用于将气体提供到所述等离子体处理腔室外壳中；外部喷射区气体进给装置，所述外部喷射区气体进给装置围绕所述内部喷射区气体进给装置，用于将气体提供到所述等离子体处理外壳中；以及气体出口，所述气体出口用于将气体从所述等离子体处理腔室外壳中排出；至少一个RF电源，所述至少一个RF电源电连接至所述至少一个电极；气体源；具有至少1Hz的切换速度的开关，所述开关在所述气体源与所述内部喷射区气体进给装置以及所述外部喷射区气体进给装置之间进行流体连接，其中所述开关能够以第一频率向所述内部喷射区气体进给装置提供脉冲气体，并且能够以所述第一频率并且与向所述内部喷射区气体进给装置提供所述脉冲气体异相地向所述外部喷射区气体进给装置提供所述脉冲气体。