[发明专利]一种抑制银导电通道过量生长的阻变存储器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种抑制银导电通道过量生长的阻变存储器及其制备方法，包括底电极，电阻转变层，银的固体电解质材料缓冲层，顶电极，所述电阻转变层设在底电极上；所述的银的固体电解质材料缓冲层设在电阻转变层上；所述的顶电极设在银的固体电解质材料缓冲层上；本发明的制备方法简易，批量生产成本低；本发明制备的器件减小操作电压，而且抑制开启时通道过量生长，提高产出量，提升循环均一性，该器件可以应用于阻变式存储器领域和人工神经网络领域。

主权项

1.一种抑制银导电通道过量生长的阻变存储器，其特征在于：包括底电极，电阻转变层，银的固体电解质材料缓冲层，顶电极，所述电阻转变层设在底电极上；所述的银的固体电解质材料缓冲层设在电阻转变层上；所述的顶电极设在银的固体电解质材料缓冲层上；所述底电极为惰性金属，在电场作用下不会氧化，不能在电阻转变层中迁移；所述顶电极为活性金属银，在电场作用下，易氧化，氧化成银离子极其容易在银的固体电解质材料缓冲层中发生迁移，能在电阻转变层中迁移；银的固态电解质材料缓冲层中银的激活能低，在电阻转变层完成开启过程中，能降低器件操作电压；当电阻转变层导电通道接通瞬间，寄生电容导致的产生过冲电流时，利用银的固态电解质材料缓冲层中高的银离子迁移率，故而有更多的银离子还原成银原子，实现导电通道继续在缓冲层中纵向生长，将寄生电容的影响限制在缓冲层内部，抑制在电阻转变层中导电通道横向过量生长；所述电阻转变层为基于银迁移的电阻可转变材料，包括非晶碳材料或钙钛矿材料碘化甲氨铅，厚度为5‑800nm；所述银的固体电解质材料缓冲层为银铟锑碲，厚度为5‑60nm，其固态电解质具有单质银激活能低，银离子迁移率高，热导系数较低的性质。