[发明专利]非易失性储存装置、非易失性存储器集成电路及操作方法在审
| 申请号： | 201710584841.5 | 申请日： | 2017-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN109002367A | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 黄贤纬;张圣如;陈甫埕 | 申请（专利权）人： | 力晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/07 | 分类号： | G06F11/07;G11C29/44 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王珊珊 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种非易失性储存装置、非易失性存储器集成电路及其非易失性存储器的操作方法。当要存取一个多位存储单元时，对多位存储单元执行单位存储单元存取操作。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 多位存储单元 储存装置 非易失性 集成电路 单位存储单元 存取操作 存取 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器的操作方法，包括：当要存取一个多位存储单元时，对该多位存储单元进行一单位存储单元存取操作。
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