[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201710585271.1 | 申请日： | 2017-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN109273528B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括第一区，半导体衬底第一区上具有若干第一鳍部和覆盖第一鳍部部分侧壁的隔离层，隔离层暴露出的第一鳍部包括第一置换区；在第一置换区的侧壁形成位于隔离层表面的鳍侧墙膜；之后，在隔离层上形成第一介质层，第一介质层覆盖鳍侧墙膜的侧壁且暴露出第一置换区的顶部表面；之后，去除第一鳍部的第一置换区、以及第一置换区侧壁的鳍侧墙膜，形成第一目标槽；在第一目标槽中形成第一掺杂层；在第一掺杂层和第一介质层上形成顶层介质层；形成贯穿顶层介质层和第一介质层的第一沟槽，第一沟槽暴露出第一掺杂层的侧壁表面和顶部表面。所述方法使半导体器件的性能提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括第一区，半导体衬底第一区上具有若干第一鳍部和覆盖第一鳍部部分侧壁的隔离层，所述隔离层暴露出的第一鳍部包括第一置换区；在第一鳍部第一置换区的侧壁形成位于隔离层表面的鳍侧墙膜；形成鳍侧墙膜后，在隔离层上形成第一介质层，第一介质层覆盖鳍侧墙膜的侧壁且暴露出第一鳍部第一置换区的顶部表面；形成第一介质层后，去除第一鳍部的第一置换区、以及第一置换区侧壁的鳍侧墙膜，形成第一目标槽；在第一目标槽中形成第一掺杂层；在第一掺杂层和第一介质层上形成顶层介质层；形成贯穿顶层介质层和第一介质层的第一沟槽，第一沟槽暴露出第一掺杂层的侧壁表面和顶部表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710585271.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体结构及其形成方法
- 下一篇：MOS型功率器件及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
