[发明专利]半导体器件及其制作方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成堆叠栅，在所述堆叠栅的侧壁上形成间隙壁；在所述半导体衬底上形成包围所述堆叠栅的层间介电层，并在所述层间介电层中形成反转接触孔；以绝缘材料填充所述反转接触孔；去除待形成源漏接触孔区域的所述层间介电层以形成源漏接触孔，其中部分间隙壁中的氧化层被去除而在间隙壁中形成空隙；在所述间隙壁上形成保护层，所述保护层填充满所述空隙；以导电材料填充所述接触孔以形成源漏接触。该制作方法可以克服栅极间隙壁顶部的反转接触刻蚀停止层被去除导致的栅极与源/漏之间的击穿电压降低的问题。该半导体器件和电子装置具有类似的优点。

主权项

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成堆叠栅，在所述堆叠栅的侧壁上形成间隙壁，所述间隙壁至少包括一层氧化层；形成覆盖所述半导体衬底和所述堆叠栅的反转接触刻蚀停止层；在所述半导体衬底上形成包围所述堆叠栅的层间介电层；以所述反转接触刻蚀停止层为停止层刻蚀所述层间介电层以在所述层间介电层中形成反转接触孔；以绝缘材料填充所述反转接触孔；去除待形成源漏接触孔区域的所述层间介电层以形成源漏接触孔，其中部分所述间隙壁中的氧化层被去除而在所述间隙壁中形成空隙；在所述间隙壁上形成保护层，所述保护层填充满所述空隙；以导电材料填充所述接触孔以形成源漏接触。