[发明专利]一种激光快速制备Half-Heusler材料的方法有效

专利信息
申请号: 201710585659.1 申请日: 2017-07-18
公开(公告)号: CN107475546B 公开(公告)日: 2019-09-13
发明(设计)人: 陈立东;邢云飞;柏胜强;刘睿恒 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C22C1/04 分类号: C22C1/04;C22C30/00;B22F1/00
代理公司: 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 代理人: 曹芳玲;郑优丽
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种激光快速制备Half‑Heusler材料的方法,包括:按照Half‑Heusler化合物的化学通式ABX称取A、B、X的粉末原料,混合后并置于坩埚模具中;将装有粉末原料的坩埚模具置于真空或惰性气氛中,利用激光熔融技术得到Half‑heusler材料的铸锭,所述激光熔融技术为通过选区激光加热使粉末原料快速熔融;将所得铸锭研磨成粉、过筛后,再进行放电等离子体烧结,得到所述Half‑Heusler材料。本发明首次结合激光制备技术和放电等离子烧结技SPS术制备高性能Half‑Heusler材料,该方法具有速度快,对设备要求低,能耗小、适合大批量生产的特点。
搜索关键词: 粉末原料 激光 快速制备 坩埚模具 熔融 铸锭 放电等离子体烧结 放电等离子烧结 制备高性能 化学通式 激光制备 快速熔融 选区激光 研磨 对设备 称取 过筛 加热 能耗 生产
【主权项】:
1.一种激光快速制备Half‑Heusler材料的方法,其特征在于,包括:按照Half‑Heusler化合物的化学通式ABX称取A、B、X的粉末原料,混合后并置于坩埚模具中,所述A、B、X的粉末原料为A、B、X所对应的单质粉体;其中,所述A为Sc、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta中的至少一种,所述B为Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt中的至少一种,所述X为Ge、Sn、Sb、Bi中的至少一种;将装有粉末原料的坩埚模具置于真空或惰性气氛中,利用激光熔融技术得到Half‑heusler材料的铸锭,所述激光熔融技术为通过选区激光加热使粉末原料快速熔融,所述激光熔融技术的参数包括:加工电流为80~150 A;脉宽2.5~4 ms;激光频率10~40Hz;激光移动速率为1~1000 mm/min;激光光斑的半径为0.1~10 mm;选区激光熔融时多道间距为1~100 mm;将所得铸锭研磨成粉、过筛后,再进行放电等离子体烧结,得到所述Half‑Heusler材料,所述放电等离子烧结的工艺参数包括:真空度<10Pa;升温速率50~120K/min;烧结温度为1100K以上;烧结压力为50~65MPa。
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