[发明专利]一种GaN HEMT器件的制作方法

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种GaN HEMT器件的制作方法，包括以下步骤：S1、在GaN HEMT结构上形成P型GaN栅极区域和P型GaN空穴注入极区域；S2、源漏欧姆接触制备；S3、在GaN HEMT结构上形成有源隔离区；S4、通过光刻显影方式打开空穴注入极区域，淀积金属Ni并剥离；S5、将金属Ni氧化形成NiO空穴注入极；S6、通过光刻显影方式打开栅极区域，在栅极区域制备栅极；S7、通过光刻显影方式打开栅极、源极、漏极及空穴注入极区域，连通漏极与NiO空穴注入极，并分别对栅极、源极、漏极进行加厚。本发明在栅极与漏极之间增加空穴注入极，空穴被注入到AlGaN势垒层表面来补偿被陷阱俘获的电子，从而降低了沟道二维电子气的耗尽，增强器件抗电流崩塌能力。

主权项

1.一种GaNHEMT器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在表面包含P型GaN层的GaNHEMT结构上形成栅极保护掩膜和空穴注入极区域保护掩膜，去除栅极保护掩膜和空穴注入极区域保护掩膜之外的P型GaN层，形成P型GaN栅极和P型GaN空穴注入极区域；S2、在形成栅极区域和空穴注入极区域的GaNHEMT结构上制备源极和漏极，所述空穴注入极区域位于栅极区域和漏极之间；S3、在具备源极和漏极的GaNHEMT结构上形成有源隔离区；S4、在形成有源隔离区的GaNHEMT结构上通过光刻显影方式打开所述空穴注入极区域，在所述GaNHEMT结构表面淀积一层金属Ni，并剥离空穴注入极区域之外的金属Ni；S5、对剥离完金属Ni的GaNHEMT结构进行氧化处理，将金属Ni氧化形成NiO空穴注入极；S6、在具有NiO空穴注入极的GaNHEMT结构上通过光刻显影方式打开所述栅极区域，在栅极区域制备栅极；S7、通过光刻显影方式打开栅极、源极、漏极及空穴注入极区域，连通漏极与NiO空穴注入极，并分别对栅极、源极、漏极进行加厚。