[发明专利]多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管阵列基板的制备方法在审
| 申请号： | 201710587277.2 | 申请日： | 2017-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN107464752A | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 董磊磊 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/3213;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰,黄进 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅薄膜的制备方法，其包括应用半导体沉积工艺制备形成第一非晶硅薄膜；应用准分子激光退火工艺使所述第一非晶硅薄膜晶化形成多晶硅薄膜；应用半导体沉积工艺在所述多晶硅薄膜的第一表面上制备形成第二非晶硅薄膜；应用干法刻蚀工艺，从所述第二非晶硅薄膜朝向所述多晶硅薄膜的方向，刻蚀直至完全去除所述第二非晶硅薄膜。本发明还公开了一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其包括制备有源层的步骤根据前述的多晶硅薄膜的制备方法制备形成一层多晶硅薄膜；应用光刻工艺将所述多晶硅薄膜刻蚀形成图案化的有源层。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 制备 方法 薄膜晶体管 阵列 | ||
【主权项】：
一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括：应用半导体沉积工艺制备形成第一非晶硅薄膜；应用准分子激光退火工艺使所述第一非晶硅薄膜晶化形成多晶硅薄膜；应用半导体沉积工艺在所述多晶硅薄膜的第一表面上制备形成第二非晶硅薄膜；应用干法刻蚀工艺，从所述第二非晶硅薄膜朝向所述多晶硅薄膜的方向，刻蚀直至完全去除所述第二非晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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