[发明专利]一种增强型P型栅GaNHEMT器件的制作方法

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种增强型P型栅GaN HEMT器件的制作方法，包括以下步骤S1、在表面包含P型GaN层的GaN HEMT结构上形成P型GaN栅极保护区域；S2、制备源极和漏极；S3、在具备源极和漏极的GaN HEMT结构上形成有源隔离区；S4、通过光刻显影方式打开所述源极和漏极之间区域，在GaN HEMT结构表面淀积一层金属Ni，并剥离源极和漏极顶部的金属Ni；S5、对剥离完金属Ni的GaN HEMT结构进行氧化处理，将金属Ni氧化形成NiO介质层；S6、通过光刻显影方式打开栅极保护区域，在栅极保护区域制备栅极；S7、分别对栅极、源极、漏极进行加厚。本发明可以有效减小器件的电流崩塌现象。

主权项

一种增强型P型栅GaN HEMT器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在表面包含P型GaN层的GaN HEMT结构上形成P型GaN栅极保护区域；S2、在形成栅极保护区域的GaN HEMT结构上制备源极和漏极，所述栅极保护区域位于源极和漏极之间；S3、在具备源极和漏极的GaN HEMT结构上形成有源隔离区；S4、在形成有源隔离区的GaN HEMT结构上通过光刻显影方式打开所述源极和漏极之间区域，在所述GaN HEMT结构表面淀积一层金属Ni，并剥离源极和漏极顶部的金属Ni；S5、对剥离完金属Ni的GaN HEMT结构进行氧化处理，将金属Ni氧化形成NiO介质层；S6、在具有NiO介质层的GaN HEMT结构上通过光刻显影方式打开所述栅极保护区域，在栅极保护区域制备栅极；S7、通过光刻显影方式打开栅极、源极、漏极区域，并分别对栅极、源极、漏极进行加厚。