[发明专利]一种氢源装置及其制造方法、以及氢原子频标

摘要

本发明提出了一种氢源装置，包括硅基腔以及在中压状态下封装在硅基腔中储氢材料，所述硅基腔上设有向氢原子频标输送氢源的出口，所述储氢材料为在过饱和氢气环境中吸附氢后的储氢材料。本发明提出了一种氢源装置的制造方法，包括步骤：将储氢材料在中压状态下生长在硅基腔中；向硅基腔中注入过饱和氢气；将硅基腔封装；在所述硅基腔上设置向氢原子频标输送氢源的出口。本发明提出了一种氢原子频标，包括所述氢源装置。本发明使氢源微型化，同时，在氢原子频标中使氢气循环利用，实现了氢源的闭环微系统，解决传统开放式原子制备系统效率不高的缺点，促使氢原子频标实现芯片级体积。

主权项

1.一种氢源装置，用于向氢原子频标提供氢源，其特征在于，包括硅基腔以及在中压状态下封装在硅基腔中储氢材料，所述硅基腔上设有向氢原子频标输送氢源的出口，所述储氢材料为在过饱和氢气环境中吸附氢后的储氢材料；其中，所述中压状态是指在10‑1000Pa的范围内；所述硅基腔上还设有从氢原子频标回收氢的入口；所述硅基腔的入口处设有压差改变装置，所述压差改变装置使硅基腔内部的压强小于硅基腔外部的压强；所述在过饱和氢气环境中吸附氢后的储氢材料包括所述非晶合金Ti‑Zr‑Ni‑Cr‑V体系储氢材料经过活化后在室温环境下置于过饱和氢气环境中吸附氢至饱和吸氢状态的非晶合金Ti‑Zr‑Ni‑Cr‑V体系储氢材料；所述非晶合金Ti‑Zr‑Ni‑Cr‑V体系储氢材料经过活化后在中压状态下生长在硅基腔中；所述非晶合金Ti‑Zr‑Ni‑Cr‑V体系储氢材料呈薄膜状；所述氢源装置与氢原子频标的其他装置均封装在总硅基腔中。