[发明专利]反康普顿反宇宙射线高纯锗谱仪在审
申请号: | 201710588660.X | 申请日: | 2017-07-18 |
公开(公告)号: | CN107238855A | 公开(公告)日: | 2017-10-10 |
发明(设计)人: | 马佳林;徐强;陈永林;侯瑞瑶 | 申请(专利权)人: | 上海新漫传感技术研究发展有限公司 |
主分类号: | G01T1/36 | 分类号: | G01T1/36;G01T7/00 |
代理公司: | 北京卓言知识产权代理事务所(普通合伙)11365 | 代理人: | 王茀智,龚清媛 |
地址: | 201821 上海市嘉*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种反康普顿反宇宙射线高纯锗谱仪,包括铅屏蔽室和安装于铅屏蔽室内部的主探测器、环反符合探测器和顶探测器,顶探测器位于环反符合探测器的上方;环反符合探测器的中部设有空腔,空腔的下部形成用于安装主探测器的第一空腔,空腔的上部形成用于盛放待检测样品的第二空腔。本发明反康普顿反宇宙射线高纯锗谱仪,同时实现反康普顿散射和反宇宙射线的功能,进一步提高放射性测量的精度,最大限度的降低检测下限。 | ||
搜索关键词: | 反康普顿反 宇宙射线 高纯 锗谱仪 | ||
【主权项】:
一种反康普顿反宇宙射线高纯锗谱仪,其特征在于:包括铅屏蔽室(5)和安装于铅屏蔽室(5)内部的主探测器(1)、环反符合探测器(2)和顶探测器(3),顶探测器(3)位于环反符合探测器(2)的上方;环反符合探测器(2)的中部设有空腔,空腔的下部形成用于安装主探测器(1)的第一空腔(201),空腔的上部形成用于盛放待检测样品的第二空腔(202)。
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