[发明专利]切换式电容器电路结构及控制其源极-漏极电阻的方法有效
| 申请号： | 201710588674.1 | 申请日： | 2017-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN107634053B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 张弛;A·巴拉苏布拉马尼扬 | 申请（专利权）人： | 马维尔亚洲私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及切换式电容器电路结构及控制其源极‑漏极电阻的方法，其具体实施例提供一种电路结构包括：包括栅极接端、背栅极接端、源极接端、及漏极接端的切换晶体管；耦合至该切换晶体管的该背栅极接端的偏压节点，该偏压节点可于导通(on)状态与断开(off)状态之间交替选择；源极耦合至该切换晶体管的第一电容器；漏极耦合至该切换电容器的第二电容器；以及源极耦合至该切换晶体管的第一使能节点，该第一使能节点可于导通状态与断开状态之间交替选择。 | ||
| 搜索关键词： | 切换 电容器 电路 结构 控制 电阻 方法 | ||
【主权项】：
一种切换式电容器电路结构，其包含：包括栅极接端、背栅极接端、源极接端、及漏极接端的切换晶体管；耦合至该切换晶体管的该背栅极接端的偏压节点，该偏压节点可于导通状态与断开状态之间交替选择；源极耦合至该切换晶体管的第一电容器；漏极耦合至该切换电容器的第二电容器；以及栅极耦合至该切换晶体管的第一使能节点，该第一使能节点可于导通状态与断开状态之间交替选择。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
