[发明专利]一种优化的PCIE设备热插拔下电方法在审
| 申请号： | 201710590035.9 | 申请日： | 2017-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN107357754A | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 上官宇剑 | 申请（专利权）人： | 郑州云海信息技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/40 | 分类号： | G06F13/40 |
| 代理公司： | 济南诚智商标专利事务所有限公司37105 | 代理人： | 王汝银 |
| 地址： | 450018 河南省郑州市*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 一种优化的PCIE设备热插拔下电方法，具体包括以下步骤对RC端或SW端的接收器在位侦测状态寄存器值进行判断；如果是期望值，则EP设备已正常走完下电流程；否则，则对RC或SW的端口控制寄存器操作，继续进行在位侦测状态寄存器值判断；如果控制寄存器操作多次后，在位侦测状态寄存器值还不是期望值，则表示EP设备故障，并打印故障信息。本发明技术方案中的一种技术方案通过增加对接收器在位状态的判断，确认下电流程是否成功走完。通过多次对在位状态的侦测，确保PCIE设备正常下电，保证安全移除。并能对故障信息进行打印。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 pcie 设备 拔下 方法 | ||
【主权项】：
一种优化的PCIE设备热插拔下电方法，其特征是，具体包括以下步骤：对RC端或SW端的接收器在位侦测状态寄存器值进行判断；如果是期望值，则EP设备已正常走完下电流程；否则，则对RC或SW的端口控制寄存器操作，继续进行在位侦测状态寄存器值判断；如果控制寄存器操作多次后，在位侦测状态寄存器值还不是期望值，则表示EP设备故障，并打印故障信息。
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