[发明专利]阵列基板的制作方法及显示装置的制作方法有效
申请号: | 201710590258.5 | 申请日: | 2017-07-19 |
公开(公告)号: | CN107256873B | 公开(公告)日: | 2020-05-22 |
发明(设计)人: | 李海旭;曹占锋;姚琪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种阵列基板的制作方法和显示装置的制作方法,其包括:在平坦化层上依次形成电极层的整层膜层和金属功能层的整层膜层;利用多灰阶掩膜层使金属功能层的整层膜层形成电极层所需图案;对多灰阶掩膜层进行灰化处理;利用具有电极层所需图案的金属功能层使电极层的整层膜层形成电极层所需图案;利用经灰化处理后的多灰阶掩膜层使具有电极层所需图案的金属功能层形成金属功能层所需图案;还包括:在对多灰阶掩膜层进行灰化处理之前,在电极层的整层膜层的未被具有电极层所需图案的金属功能层覆盖的部分之上形成绝缘保护层。本发明提供的阵列基板的制作方法,可以保证膜层的性质与产品特性,以及保证工艺顺利并安全的进行。 | ||
搜索关键词: | 阵列 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制作方法,包括:在平坦化层上依次形成电极层的整层膜层和金属功能层的整层膜层;利用多灰阶掩膜层使所述金属功能层的整层膜层形成所述电极层所需图案;对所述多灰阶掩膜层进行灰化处理;利用具有所述电极层所需图案的所述金属功能层使所述电极层的整层膜层形成所述电极层所需图案;利用经灰化处理后的所述多灰阶掩膜层使具有所述电极层所需图案的所述金属功能层形成所述金属功能层所需图案;其特征在于,还包括:在所述对所述多灰阶掩膜层进行灰化处理之前,在所述电极层的整层膜层的未被具有所述电极层所需图案的所述金属功能层覆盖的部分之上形成绝缘保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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