[发明专利]一种含Ag表面等离激元的硅基LED的制备方法及应用在审
| 申请号： | 201710590647.8 | 申请日： | 2017-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN107464861A | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 陈家荣;张羽;任达森 | 申请（专利权）人： | 贵州民族大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/34 |
| 代理公司： | 贵阳派腾阳光知识产权代理事务所(普通合伙)52110 | 代理人： | 谷庆红 |
| 地址： | 550000 贵州*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明属于硅基LED制备技术领域，尤其是一种含Ag表面等离激元的硅基LED的制备方法及应用，采用了浸泡、一次退火、二次退火和三次退火共四个步骤完成含Ag表面等离激元的硅基LED的制备，通过对超声和退火参数的调整，使得硝酸银分解成Ag纳米颗粒，并作为硅纳米晶表面等离激元，进而增强硅基LED的表面等离激元场，从而提高硅基LED的电致发光强度；并通过在该硅基LED的两端加上偏压，再通过改变外加偏压的大小可得其最佳的发光强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ag 表面 离激元 led 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种含Ag表面等离激元的硅基LED的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将硅纳米晶薄膜放入AgNO3溶液中，采用超声波处理后，取出后采用氮气吹干，并放入退火炉中处理，得到含Ag纳米颗粒的Si‑nc薄膜，并在其背面蒸镀Al作为正电极，再放入退火炉中处理，退火结束后，在其正面蒸镀Al环作为负电极，再放入退火炉中处理，即可。
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