[发明专利]一种半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201710590988.5 | 申请日： | 2017-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN107425051B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 刘健;吴星星 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，所述半导体器件包括衬底基板；位于所述衬底基板上的多层半导体层；位于所述多层半导体层上远离所述衬底基板一侧的至少两个电极；位于所述至少两个电极上远离所述多层半导体层一侧的第一保护层；位于所述至少两个电极之间的多层半导体层上、以及所述至少两个电极之间的电极侧壁上的第二保护层，所述第二保护层为疏水材料。采用上述技术方案，在至少两个电极上形成第一保护层，在多层半导体层上、以及至少两个电极之间的电极侧壁上形成第二保护层，通过第一保护层和第二保护层保证半导体器件性能稳定，提高半导体器件使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底基板；位于所述衬底基板一侧的多层半导体层；位于所述多层半导体层远离所述衬底基板一侧的至少两个电极；位于所述至少两个电极上远离所述多层半导体层一侧的第一保护层；位于所述至少两个电极之间的多层半导体层上、以及所述至少两个电极之间的电极侧壁上的第二保护层，所述第二保护层为疏水材料。
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