[发明专利]一种晶态硅片金属杂质含量检测方法在审
| 申请号： | 201710592349.2 | 申请日： | 2017-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN107607494A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 王海涛;廖晖;李林东;肖贵云;陈伟;金浩 | 申请（专利权）人： | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/63 | 分类号： | G01N21/63 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 何世磊 |
| 地址： | 334100 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶态硅片金属杂质含量检测方法，该方法包括去除原生硅片的表面损伤层，并对原生硅片进行钝化处理；将原生硅片经避光保存第一预设时间后，进行光致发光测试，以得到第一少子寿命值；将原生硅片经强光照射第二预设时间后，再次进行光致发光测试，以得到第二少子寿命值；根据第一少子寿命值和第二少子寿命值确定原生硅片的金属杂质含量。本发明通过将原生硅片避光保存后进行强光照射后用以分别确定出其Fe‑B对趋于稳定时的第一少子寿命和其Fe‑B对全部分解为间隙态的Fe时的第二少子寿命，从而确定Fe的含量，使得原生硅片的金属杂质铁的含量测试更加准确，解决了现有ILM测试精度差以及ICP‑MS测试费用较高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶态 硅片 金属 杂质 含量 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种晶态硅片金属杂质含量检测方法，其特征在于，所述方法包括：去除原生硅片的表面损伤层，并对所述原生硅片进行钝化处理；将所述原生硅片经避光保存第一预设时间后，进行光致发光测试，以得到第一少子寿命值；将所述原生硅片经强光照射第二预设时间后，再次进行所述光致发光测试，以得到第二少子寿命值；根据所述第一少子寿命值和所述第二少子寿命值确定所述原生硅片的金属杂质含量。
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