[发明专利]一种N型双面电池制备方法

摘要

本发明提供了一种N型双面电池制备方法，包括：对经过损伤处理的N型硅片进行双面反应离子刻蚀，以在表面制备纳米绒面；对N型硅片的背面通过SiOx‑SiNy掩膜处理后，对正面进行硼扩散；然后经HF溶液去除背面SiOx‑SiNy掩膜层后，再对正面SiOx‑SiNy掩膜；之后在背面进行SiO₂层生长；以SiO₂层作为掩膜层，在主栅下进行点开孔处理以形成N++窗口，经弱碱液处理去除开孔残留损伤；在N型硅片的背面进行单面磷扩散，在开孔处形成N++层，其他区域形成N+层；对N型硅片进行边缘隔离后进行HF处理，去除正面的SiOx‑SiNy掩膜、硼硅玻璃及背面的磷硅玻璃，再经RCA清洗；将N型硅片的正面和背面分别经Al₂O₃/SiNx与叠层钝化，经丝网印刷后进行烧结。本发明能够提高Uoc、Isc、FF，进而提高电池正面的光电转化效率。

主权项

1.一种N型双面电池制备方法，其特征在于，包括：对N型硅片的表面进行损伤处理；对所述N型硅片进行双面反应离子刻蚀，以在所述N型硅片的表面制备纳米绒面；对所述N型硅片的背面通过SiOx‑SiNy掩膜处理后，对所述N型硅片的正面进行硼扩散；对所述N型硅片经HF溶液去除背面SiOx‑SiNy掩膜层后，对所述N型硅片进行正面SiOx‑SiNy掩膜；在所述N型硅片的背面进行SiO₂层生长，所述SiO₂层的厚度控制在5‑15nm；以所述SiO₂层作为掩膜层，在主栅下进行点开孔处理以形成N++窗口，经弱碱液处理去除开孔残留损伤；在所述N型硅片的背面进行单面磷扩散，在所述开孔处形成N++层，其他区域形成N+层，其中，所述N+层方阻为80‑110Ω/Squar.，所述N++层方阻为40‑70Ω/Squar.；对所述N型硅片进行边缘隔离后进行HF处理，去除正面的SiOx‑SiNy掩膜、硼硅玻璃及背面的磷硅玻璃，再经RCA清洗，去除残留杂质；将所述N型硅片的正面和背面分别经Al₂O₃/SiNx与叠层钝化，经丝网印刷后进行烧结，正面Al₂O₃的厚度为3‑20nm，正面SiNx的厚度为70‑100nm，反射率为2‑5％，背面SiO₂/SiNx的叠层厚度为75‑90nm，反射率为2‑5％。