[发明专利]一种顶栅型薄膜晶体管的制作方法及顶栅型薄膜晶体管

摘要

本发明提供一种顶栅型薄膜晶体管的制作方法及顶栅型薄膜晶体管，通过形成第一光阻图案，该第一光阻图案包括第一遮挡部以及第二遮挡部，并以该第一光阻图案作为罩幕对栅极金属层进行蚀刻，从而使得栅极图形与导电沟道的沟道区尺寸吻合，提高栅极对导电沟道的控制力，进而提高器件的性能。

主权项

一种顶栅型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括在基板上形成导电沟道、栅极绝缘层和栅极图形的过程；所述在基板上形成导电沟道、栅极绝缘层和栅极图形的过程具体为：在基板上形成有源层，所述有源层包括源区、漏区、及沟道区；在所述有源层上依次形成栅极绝缘层、栅极金属层、及光阻层；对所述光阻层进行图案化处理，以形成第一光阻图案，其中，所述第一光阻图案包括第一遮挡部以及设置在所述第一遮挡部两侧的第二遮挡部，且所述第一遮挡部在所述基板上的投影与所述沟道区在所述基板上的投影重合，所述第一遮挡部的厚度大于所述第二遮挡部的厚度；以所述第一光阻图案作为罩幕，对所述栅极金属层进行蚀刻，以形成栅极图形；对所述第一光阻图案的第二遮挡部进行灰化处理，以去除所述第一光阻图案的第二遮挡部，形成第二光阻图案；以所述第二光阻图案作为罩幕，对所述栅极绝缘层进行蚀刻，以裸露出所述源区和漏区；对所述有源层进行导体化，以在所述源区上形成源极接触区、及在所述漏区上形成漏极接触区，其中，所述源极接触区、漏极接触区、及沟道区形成导电沟道。