[发明专利]一种钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池中隧穿结的结构设计

摘要

本发明涉及太阳电池领域，提出了一种钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池中隧穿结的结构设计，该结构是在叠层电池顶、底电池反向p‑n结处添加一层窄带隙、高掺杂浓度的隧穿复合层TRL，其导带与价带间较小的能级差值可以有效的增强隧穿结处的载流子复合。此外，底电池p层与隧穿结处的梯度带阶有效的促进了底电池与隧穿结处的空穴抽取，避免了隧穿结界面间电荷的大量累积。而且添加高掺杂浓度的TRL后，隧穿结处缺陷态密度增加，电子空穴通过缺陷辅助隧穿，复合和隧穿几率增加。该结构所采用的异质结可有效提升底电池的光谱响应，减小开压损失，且其制备方法简单，易于实施。

主权项

一种钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池中隧穿结的结构设计，其特征在于所述的隧穿结的结构设计是在叠层电池顶、底电池反向p‑n结处添加一层窄带隙、高掺杂浓度的隧穿复合层TRL。