[发明专利]氧化镓场效应晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201710596165.3 | 申请日： | 2017-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN107464844A | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 吕元杰;宋旭波;冯志红;谭鑫;王元刚;周幸叶;马春雷;邹学锋 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 夏素霞 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化镓场效应晶体管的制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤去除氧化镓外延片无源区域对应的氧化镓沟道层和重掺杂氧化镓层；所述氧化镓外延片从下至上依次为衬底层、氧化镓缓冲层、掺杂氧化镓沟道层和重掺杂氧化镓层；去除所述氧化镓外延片的栅区对应的重掺杂氧化镓层；分别在源区和漏区的上表面覆盖第一金属层，分别形成源极和漏极；所述源区和所述漏区分别位于所述栅区的两侧；在所述栅区的上表面覆盖第二金属层形成栅极。本发明能够避免降低氧化镓场效应晶体管的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化镓场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：去除氧化镓外延片无源区域对应的氧化镓沟道层和重掺杂氧化镓层；所述氧化镓外延片从下至上依次为衬底层、氧化镓缓冲层、掺杂氧化镓沟道层和重掺杂氧化镓层；去除所述氧化镓外延片的栅区对应的重掺杂氧化镓层；分别在源区和漏区的上表面覆盖第一金属层，分别形成源极和漏极；所述源区和所述漏区分别位于所述栅区的两侧；在所述栅区的上表面覆盖第二金属层形成栅极。
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