[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710596191.6 | 申请日： | 2017-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109285879B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 邓浩;徐建华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底；在基底上形成层间介质层；在层间介质层中形成露出基底的开口；在开口底部和侧壁上形成栅介质层；通过原子层沉积工艺进行至少1次膜层形成工艺，在栅介质层上形成含铝功函数层，当膜层形成工艺次数为1次时，膜层形成工艺中含铝前驱体的脉冲次数至少为2次，当膜层形成工艺次数大于1次时，至少第1次膜层形成工艺中含铝前驱体的脉冲次数至少为2次；在形成有功函数层的开口中形成金属栅极。通过增加含铝前驱体的脉冲次数，特别是第1次膜层形成工艺中的脉冲次数，以增加开口中的铝原子含量，提高铝原子在开口中的沉积能力，从而增加功函数层的铝原子含量，进而改善晶体管的阈值电压翻转问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成层间介质层；在所述层间介质层中形成露出所述基底的开口；在所述开口的底部和侧壁上形成栅介质层；通过原子层沉积工艺进行至少1次膜层形成工艺，在所述栅介质层上形成含铝功函数层，当所述膜层形成工艺的次数为1次时，所述膜层形成工艺中含铝前驱体的脉冲次数至少为2次，当所述膜层形成工艺的次数大于1次时，至少第1次膜层形成工艺中含铝前驱体的脉冲次数至少为2次；在形成有所述功函数层的开口中形成金属栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710596191.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：功率器件芯片及其制造方法
- 下一篇：增强型鳍式绝缘栅高电子迁移率晶体管
- 同类专利
- 专利分类
