[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

摘要

本发明提供一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及制作方法，其中金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法包括在衬底上形成图形化的栅极；在该衬底上依次连续形成栅极绝缘层、金属氧化物半导体材料层和蚀刻阻挡材料层，该金属氧化物半导体材料层是膜厚为1～10nm，通过溶液涂布的方式成膜；对该蚀刻阻挡材料层进行蚀刻图形化以形成蚀刻阻挡层；在该金属氧化物半导体材料层和蚀刻阻挡层上形成一层源漏金属材料层；以光阻层图案作为蚀刻掩模对源漏金属材料层进行第一次蚀刻以形成源极和漏极；再以该光阻层图案和蚀刻阻挡层作为蚀刻掩模对金属氧化物半导体材料层进行第二次蚀刻以形成金属氧化物有源层，其中该第二次蚀刻为干蚀刻；去除该光阻层图案。

主权项

一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在衬底(10)上形成图形化的栅极(11)；在该衬底(10)上依次连续形成栅极绝缘层(12)、金属氧化物半导体材料层(13)和蚀刻阻挡材料层(14)，其中该栅极绝缘层(12)覆盖在该栅极(11)上，该金属氧化物半导体材料层(13)覆盖在该栅极绝缘层(12)上，该金属氧化物半导体材料层(13)通过溶液涂布的方式形成且膜厚为1～10nm，该蚀刻阻挡材料层(14)覆盖在该金属氧化物半导体材料层(13)上；对该蚀刻阻挡材料层(14)进行蚀刻图形化以在该金属氧化物半导体材料层(13)上对应该栅极(11)的上方形成蚀刻阻挡层(14a)，此时该金属氧化物半导体材料层(13)未被蚀刻；在该金属氧化物半导体材料层(13)和蚀刻阻挡层(14a)上形成一层源漏金属材料层(15)，其中该源漏金属材料层(15)覆盖该蚀刻阻挡层(14a)；在该源漏金属材料层(15)上涂覆一层光阻层(40)，对该光阻层(40)进行曝光和显影，利用显影留下的光阻层图案(40a)作为蚀刻掩模对该源漏金属材料层(15)进行第一次蚀刻以形成源极(151)和漏极(152)，在该第一次蚀刻后露出下方的金属氧化物半导体材料层(13)，该第一次蚀刻为湿蚀刻或干蚀刻；以该光阻层图案(40a)和该蚀刻阻挡层(14a)作为蚀刻掩模对露出的该金属氧化物半导体材料层(13)进行第二次蚀刻以形成金属氧化物有源层(13a)，其中该第二次蚀刻为干蚀刻；去除该光阻层图案(40a)。