[发明专利]一种三角形开阖式盒型电极半导体探测器

摘要

一种三角形开阖式盒型电极半导体探测器，该三角形开阖式盒型电极半导体探测器，由半导体基体，及半导体基体刻蚀而成的沟槽电极和中央柱状电极嵌套构成，沟槽电极为由两个等边三角形底边重叠形成的菱形柱，每个沟槽电极对应两个中央柱状电极，两个中央柱状电极设置在两个等边三角形的中心，沟槽电极及中央柱状电极为中空电极，经刻蚀之后再进行离子扩散形成，所述三角形开阖式盒型电极半导体探测器顶面的沟槽电极和中央柱状电极上覆盖有电极接触层，顶面其他半导体部分覆盖二氧化硅绝缘层，底面设置有二氧化硅衬底层。本发明消除死区，刻蚀工艺为贯穿刻蚀工艺，工作时，粒子可双面入射，反应更灵敏，探测效率更高。

主权项

一种三角形开阖式盒型电极半导体探测器，其特征在于，该三角形开阖式盒型电极半导体探测器，由半导体基体(1)，及半导体基体(1)刻蚀而成的沟槽电极(2)和中央柱状电极(3)嵌套构成，沟槽电极(2)为由两个等边三角形底边重叠形成的菱形柱，每个沟槽电极(2)对应两个中央柱状电极(3)，两个中央柱状电极(3)设置在两个等边三角形的中心，沟槽电极(2)及中央柱状电极(3)为中空电极，经刻蚀之后再进行离子扩散形成，半导体基体(1)采用轻掺杂硅，沟槽电极(2)及中央柱状电极(3)采用重掺杂硅，其中，沟槽电极(2)与中央柱状电极(3)的P/N型相反，所述三角形开阖式盒型电极半导体探测器顶面的沟槽电极(2)和中央柱状电极(3)上覆盖有电极接触层(4)，顶面未覆盖电极接触层(4)的其他半导体基体(1)表面覆盖二氧化硅绝缘层(5)，底面设置有二氧化硅衬底层(6)，沟槽电极(2)菱形柱的四个侧边正中有斜纹状实体缝隙，三角形开阖式盒型电极半导体探测器在斜纹状半导体基体的基础上以沟槽电极顶点为圆心，斜纹状实体缝隙的宽度为半径做圆，圆弧外的半导体基质都刻蚀成电极，从而留下带弧状的斜纹体半导体基体。